차세대 D램 경쟁 격화,
삼성전자의 점유율 하락 중
삼성전자 HBM4 재설계에 무슨 일이
삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4 개발 과정에서 10나노급 6세대(1c) D램 설계를 전면 수정하고 있다는 소식이 전해지면서 업계의 긴장감이 높아지고 있습니다. 경쟁사들이 한발 앞서 HBM4 시장을 선점하는 상황에서 삼성전자의 일정 지연이 우려되는 가운데, AI 반도체 시장의 주도권이 어디로 향할지 관심이 집중됩니다.
HBM4 개발, 예상보다 늦어지는 삼성전자
반도체 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4의 핵심 기술이 될 1c D램의 설계를 재조정하고 있습니다. 이는 회로 설계를 처음부터 다시 진행해야 하는 만큼 예상보다 많은 시간이 소요될 가능성이 큽니다.
문제는 경쟁사들이 이미 시장 선점을 위해 속도를 내고 있다는 점입니다. 마이크론은 지난 26일 1c 공정 기반의 DDR5 샘플을 주요 고객사인 인텔, AMD에 출하했다고 발표했으며, SK하이닉스도 1c 공정의 DDR5 D램 개발을 마치고 양산을 준비 중입니다.
반면 삼성전자는 1c D램의 설계를 전면 수정하는 과정에 있어 경쟁사 대비 일정이 늦춰질 가능성이 제기되고 있습니다. 업계 관계자들은 이를 두고 삼성전자가 기술적인 난항을 겪고 있다는 신호로 해석하고 있습니다.
HBM 시장, 삼성전자에 불리한 구도 형성
HBM은 AI 반도체 시장의 핵심 기술로 자리 잡으며 수요가 폭발적으로 증가하고 있습니다. 특히 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서는 HBM4가 차세대 필수 메모리로 꼽힙니다.
그러나 삼성전자는 HBM3E 시장에서도 SK하이닉스에 밀려 점유율을 빼앗긴 상태입니다. 2023년 4분기 기준 삼성전자의 D램 시장 점유율은 39.3%로 전 분기 대비 하락한 반면, SK하이닉스는 36.6%로 상승하며 격차를 좁히고 있습니다.
SK하이닉스는 이미 1b D램을 활용한 HBM4 개발을 차질 없이 진행 중이며, 마이크론 또한 EUV 공정을 적용한 1c D램을 앞세워 시장 공략을 가속화하고 있습니다. 삼성전자가 기술력을 강화한다고 해도 시간이 관건이며, 일정이 지연될 경우 시장 주도권을 내줄 가능성이 큽니다.
HBM4 경쟁에서 뒤처질까? 삼성전자의 과제
전문가들은 삼성전자가 현재 HBM4의 성능과 안정성을 높이는 데 집중하고 있지만, 일정 지연이 길어지면 시장 내 입지가 약해질 수 있다고 경고하고 있습니다.
한 반도체 업계 관계자는 “HBM4는 향후 AI 시장에서 핵심 역할을 할 것이라는 점에는 이견이 없다”면서도 “삼성전자가 경쟁사 대비 일정이 지연될 경우 글로벌 반도체 시장에서의 영향력이 약화될 우려가 있다”고 말했습니다.
삼성전자의 HBM4 최종 성능과 출시 시점이 반도체 시장의 향방을 결정할 중요한 변수가 될 것으로 보이는 가운데, 글로벌 시장에서 삼성전자가 경쟁력을 유지할 수 있을지 귀추가 주목됩니다.
